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High-concentration doping of donor and acceptor in fluorescent 4H-SiC by closed sublimation growth
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The donor concentration in a sample of n-type silicon is increa... | Filo
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A silicon integrated resistor has the following doping, geometr... | Filo
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In a p-n junction, the doping concentration N_A on the p-side i... | Filo
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A semiconductor is doped with a donor impurity(i) the hole con... | Filo
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11 か月前
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Doping and intrinsic carrier concentration
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Effect of increasing doping concentration on fermi level
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8.4 Impact of doping, oxide thickness and temperature on CV
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