3D NANDフラッシュの行き過ぎた高層化による弊害 NANDフラッシュメモリ大手のキオクシアは、従来に比べて3D NANDフラッシュメモリの記憶密度を2倍に高めるアーキテクチャを開発し、メモリセルの試作結果を国際学会「IEDM」で2024年12月11日(米国時間)に発表した ...

ベルギーの研究開発機関であるimecを中心とする研究チームは、超大容量不揮発性メモリの製造技術である「3D NAND技術」を強誘電体メモリに応用し、メモリセルを試作した結果を国際学会IEDM(米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催)で12月3日(現地時間 ...

Released every 12 to 18 months, 3D NAND scaling outpaces most other semiconductor devices in replacement rate and performance ...

As the scale of artificial intelligence (AI) models grows rapidly, securing the performance of memory semiconductors has become a key issue. NAND flash, a type of memory semiconductor with much larger ...

数十年にわたってNAND型フラッシュメモリは、低コストで大密度なデータストレージアプリケーションの主要なテクノロジーとして発展してきた。この不揮発性メモリは、スマートフォン(スマホ)、サーバー、PC、タブレット、USBドライブなど、すべての主要 ...

Samsung researchers have published a detailed account of an experimental NAND architecture that aims to cut one of the technology’s largest power drains by as much as 96%. The work — Ferroelectric ...

AI is driving demand and higher prices for DRAM and NAND into 2026.  Products using non-volatile memories to replace NOR and ...

東京理科大学と物質・材料研究機構（NIMS）の研究チームは、アンチ・アンバイポーラトランジスタと呼ばれる特殊な有機トランジスタを用い、5つの2入力論理演算回路（AND、OR、NAND、NOR、XOR）の動作を、単一素子で実証することに成功した。2つの入力電圧を ...

再び話を回路レベルに戻す。図3はXORとANDで構成されているが、これはトランジスタレベルでどう実装されているか、というのが図4である。 赤い破線で示した左側がNAND、右側がNOTとなる。ロジック回路ではNAND＝AND＋NOTであるが、回路的にはNAND回路を直接 ...