旭化成は名古屋大学との共同研究グループで次世代の半導体トランジスタを開発したと発表した。電気の流れを制御する素子「高電子移動度トランジスタ（HEMT）」を窒化アルミニウム（AlN）の基板上につくる。窒化ガリウム（GaN）を活用するHEMTより性能を高 ...

2025年12月6日より10日にかけて、サンフランシスコで毎年恒例の IEDM (International Electron Devices Meeting) ...