三菱電機株式会社は、電気自動車（EV）やプラグインハイブリッド車（PHEV）用モーター等のインバーター駆動に用いるxEV用パワー半導体モジュールとして、小型化を実現し、SiC-MOSFET（※1）やRC-IGBT（Si）（※2）素子を搭載したJ3-T-PMを開発しました。J3-T-PMを ...

三菱電機株式会社は、鉄道車両・直流送電などの大型産業機器向け耐電圧1.7kVパワー半導体モジュールの新製品として、「HVIGBT（※1）モジュールS1シリーズ」の2製品を12月26日に発売します。独自のIGBT素子と絶縁構造の採用により、信頼性向上および電力 ...

高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発 東芝デバイス＆ストレージ株式会社と株式会社東芝（以下、東芝グループ）は、SiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を搭載したパワーモジュールにおいて、スイッチング動作時に並列接続間で ...

オンセミ、エネルギー消費量と総システムコストを削減するSiCベースのインテリジェントパワーモジュールを発表 EliteSiC SPM31インテリジェントパワーモジュール（IPM）は小型のインバーターモータードライブに最高の効率および性能を実現 オンセミ（本社 ...

三菱電機は、電気自動車(EV)やプラグインハイブリッド車(PHEV)用モーターなどのインバータ駆動に用いられるxEV用パワー半導体モジュールとして、SiC-MOSFETやRC-IGBT(Si)素子を搭載した「J3-T-PM」を開発。2024年1月24日～26日にかけて東京ビッグサイトにて開催され ...

新チップ構造によりパワーモジュールへのSBD内蔵 SiC-MOSFET の適用を実現 特定チップにサージ電流が集中するメカニズムを世界で初めて解明し新チップ構造で回避 ＊図1は添付の関連資料を参照 三菱電機株式会社は、サンプル提供を5月31日に開始した鉄道車両 ...

・ SiC CMOS駆動回路を内蔵したパワーモジュールによるモーター駆動を実現 ・ 開発した独自の駆動方法でノイズを低減し、モーターシステムの信頼性向上に寄与 国立研究開発法人 産業技術総合研究所（以下「産総研」という）先進パワーエレクトロニクス ...

2024年におけるIGBTパワーモジュールの世界市場規模は、7604百万米ドルと予測され、2025年から2031年の予測期間において、年間平均成長率（CAGR）13.6%で成長し、2031年までに18340百万米ドルに達すると予測されている。 市場セグメント分析 IGBTパワーモジュール ...

鉄道車両などの大型産業機器向けインバーターの高効率化と信頼性の向上に貢献 HVIGBTモジュールXBシリーズ 耐電圧4.5kVタイプ」（左が標準絶縁品、右が高絶縁品） 三菱電機株式会社は、鉄道車両などの大型産業機器向け大容量パワー半導体「HVIGBT（※1 ...

日産自動車は3月9日、BEV（バッテリ電気自動車）とe-POWERの主要部品を共用化し、モジュール化した新開発電動パワートレーン「X-in-1」の試作ユニットを公開した。 日産は2月27日に2030年に向けた長期ビジョン「Nissan Ambition 2030」の進捗について発表を行ない ...