ルネサス エレクトロニクスは、28nmプロセス以降における次世代システムLSI向け標準CMOSロジック回路の設計資産(IP)と親和性の高い混載DRAM(embedded DRAM:eDRAM)対応の基本構造を開発したことを明らかにした。2010年12月6日から8日まで米国サンフランシスコで開催さ ...