ポルシェエンジニアリングは、AI支援によるインテリジェントなソフトスイッチングにより、パワートランジスタのスイッチング損失を最大95％削減することに成功したと発表した。シミュレーションでこの新手法を検証中だ。 電気自動車で重要な要素の一 ...

電源スイッチング供給システムにおいて、電源トランジスタは主要な損失源の1つです。トランジスタの損失は大きく分けて2つのカテゴリに分類されます。それは「オン損失」と「スイッチング損失」です。オン損失は、トランジスタが導通している際 ...

超極低温測定によりトランジスタのスイッチング特性を解明 概要 国立研究開発法人 産業技術総合研究所（以下「産総研」という）先端半導体研究センター 新原理シリコンデバイス研究チーム 岡 博史 主任研究員、浅井 栄大 主任研究員、森 貴洋 研究 ...

液体を強くはじくフッ素樹脂の表面上に、半導体結晶を高均質に塗布製膜できる新技術を開発。 棒状の有機半導体分子が、半導体溶液による液膜表面で自己整列し薄膜形成する性質を活用。 2ボルト以下の低電圧駆動、オンオフによる履歴なし、理論限界 ...

・1ケルビン以下の超極低温測定から低温半導体物理の新知見を獲得 国立研究開発法人 産業技術総合研究所（以下「産総研」という）先端半導体研究センター 新原理シリコンデバイス研究チーム 岡 博史 主任研究員、浅井 栄大 主任研究員、森 貴洋 研究 ...

3300V級シリコンIGBTで5Vゲート駆動のスイッチングに世界で初めて成功 東京大学 生産技術研究所（所長:岸 利治）の更屋 拓哉 助手および平本 俊郎 教授を中心とする研究グループは、3300V級の耐圧を有するシリコン絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）の ...

トランジスタ（Transistor）は、電気信号を増幅したり、スイッチング動作を行う半導体素子です。現代の電子機器において、プロセッサ、メモリ、アンプなど、ほぼすべての回路の中核をなす基本部品です。 重要なポイント 機能: 電流や電圧を制御し、信号 ...

インテルは12月5日、今後10年（2030年までに）で単一パッケージ上に1兆個ものトランジスタを集積するという目標に向け、数々の研究結果を国際会議「IEDM 2022」で発表した。今年はトランジスタ誕生から75周年に当たるとのことで、「ムーアの法則が遂げてきた ...