ポルシェエンジニアリングは、AI支援によるインテリジェントなソフトスイッチングにより、パワートランジスタのスイッチング損失を最大95％削減することに成功したと発表した。シミュレーションでこの新手法を検証中だ。

液体を強くはじくフッ素樹脂の表面上に、半導体結晶を高均質に塗布製膜できる新技術を開発。 棒状の有機半導体分子が、半導体溶液による液膜表面で自己整列し薄膜形成する性質を活用。 2ボルト以下の低電圧駆動、オンオフによる履歴なし、理論限界 ...

For hard-switched power topologies, Infineon is planning a 100V GaN transistors with a integrated Schottky diode. “Due to the lack of body diode in hard-switching applications, GaN-based topologies ...

超極低温測定によりトランジスタのスイッチング特性を解明 概要 国立研究開発法人 産業技術総合研究所（以下「産総研」という）先端半導体研究センター 新原理シリコンデバイス研究チーム 岡 博史 主任研究員、浅井 栄大 主任研究員、森 貴洋 研究 ...

・1ケルビン以下の超極低温測定から低温半導体物理の新知見を獲得 国立研究開発法人 産業技術総合研究所（以下「産総研」という）先端半導体研究センター 新原理シリコンデバイス研究チーム 岡 博史 主任研究員、浅井 栄大 主任研究員、森 貴洋 研究 ...

図2は、Intelのロジックプロセスに関する最新のロードマップであるが、「Intel20A (一般に20Åあるいは2nm)」からGate-All-Around(GAA)を採用することを決めている。2030年に向けてチャネルに2D材料を採用することが検討されているが、IntelはIEDM 2022で以下のような発表 ...

世界最高速、800GHzを超えるスイッチング性能を有するトランジスタを開発 ～IOWN・Beyond 5Gの世界の実現に向けたテラヘルツ帯集積回路の開発に道筋～ 日本電信電話株式会社（本社:東京都千代田区、代表取締役社長:澤田純、以下 NTT）は、インジウムリン（InP ...

インテルは12月5日、今後10年（2030年までに）で単一パッケージ上に1兆個ものトランジスタを集積するという目標に向け、数々の研究結果を国際会議「IEDM 2022」で発表した。今年はトランジスタ誕生から75周年に当たるとのことで、「ムーアの法則が遂げてき ...

*****「電界効果トランジスタ（FET）の世界市場」市場規模・動向・予測レポートを発行 ***** H&Iグローバルリサーチ株式会社（本社：東京都中央区）は、「世界の電界効果トランジスタ（FET）市場」調査レポートを発行・販売します。電界効果トランジスタ ...