産業技術総合研究所(産総研)らによる研究グループは、Siに比べ高い移動度を有するIII-V族化合物半導体とGe をチャネルに採用した次世代高性能III-V/Ge CMOSトランジスタを開発したことを発表した。従来のSiトランジスタでは性能向上に限界があり、200%以上の ...

米Intelは12月9日（現地時間）、「Intel Demonstrates Breakthroughs in Next-Generation Transistor Scaling for Future Nodes（Intelは将来のノードに向けた次世代トランジスタのスケーリングにおいて、画期的な成果を実証）」と題したページを公開し、公開中の開発ロードマップに ...

～従来比約2倍（※2）の飽和信号量（※3）によるダイナミックレンジ拡大とノイズ低減を実現～ ここに掲載されている情報は、発表日現在の情報です。 検索日と情報が異なる可能性がございますので、あらかじめご了承ください。 ※1: 2021年12月16日広報 ...

高い移動度を有するIII-V族化合物半導体とゲルマニウム (Ge) をチャネルに採用した次世代高性能III-V/Ge CMOSトランジスタを世界で初めて実現しました。従来のシリコン (Si) トランジスタでは性能向上に限界があり、200%以上の性能向上は困難でしたが、今回のIII ...

III-V族化合物半導体の高い移動度を利用した次世代CMOSトランジスタを実用化するための3つの基本技術である極薄チャネルの ...

ソニーセミコンダクタソリューションズは、2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術の開発に成功した。スマートフォンのカメラなどでの高画質化に寄与する技術という。 世界初とされる同技術は、ダイナミックレンジ拡大とノイズ低減に寄与 ...

ソニーセミコンダクタソリューションズ(ソニー)は16日、世界初となる2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術の開発に成功したと発表した。 従来同一基板上で形成していたフォトダイオードと画素トランジスタの層を別々の基板に形成し積層 ...

ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社は12月16日、世界初という2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサー技術の開発に成功したと発表した。スマートフォン撮影などにおける“高画質化”の実現に寄与するものとしている。12月11日から開催 ...

Heat is widely recognized as the enemy of sensitive electronic components, but ultra-low temperatures can also pose serious performance challenges. Now, SemiQon, a Finland-based company focused on ...

インテル(株)は12日、京都で14日まで開催中のVLSIシンポジウム“2003 Symposia of VLSI Technology and Circuits”に合わせ、東京と京都の2ヵ所でゲート長30nm(ナノ・メートル)の“トライ・ゲート・トランジスタ”やCMOS無線技術などの詳細発表を行なった。 “トライ ...