The 2D devices fabricated using CDimension’s ultra-thin films have demonstrated up to a 1,000X improvement in ...

産業技術総合研究所(産総研)は11月5日、2nmをはじめとする先端ロジック半導体で活用されるトランジスタ構造「ゲートオールアラウンド(GAA)」を独自技術に基づき実現するとともに、企業などが利用可能な共用パイロットラインを確立したことを発表した。

すべての要素プロセスは、NEDO事業を共同で実施する半導体製造装置メーカー3社と個別に連携して開発し、特に、GAA構造トランジスタ形成の主要工程となる、シリコン・シリコンゲルマニウムエッチング工程、高誘電率ゲート絶縁膜・金属ゲート電極構造の形成工程は、各社から産総研への人材の派遣も含め、それぞれ密接な連携の元、開発を進めました。

TSMC, the world's largest semiconductor manufacturing foundry, announced on April 3, 2019 that it completed its 5nm process manufacturing infrastructure and began ...

300 mmウエハーの共用パイロットラインで新規装置・材料の技術検証が可能に 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 (以下「産総研」という) 先端半導体研究センターは、NEDO（国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構）助成事業の元、国内 ...

従来、微細加工技術及び真空製造プロセスを適応しなければ、高性能有機薄膜トランジスタは製造できなかった。 印刷技術を用いることで、常温常圧下で簡便に有機薄膜トランジスタを創製できる技術を実現した。 微細加工技術を用いることなく、有機 ...

解説：ハサウェイと宇宙世紀「機動戦士ガンダム 閃光のハサウェイ」までの軌跡 本プレスリリースは発表元が入力した原稿をそのまま掲載しております。詳細は上記URLを参照下さい。また、プレスリリースへのお問い合わせは発表元に直接お願いいたします。