2011年5月4日、Intelは次世代の22nmプロセスではトライゲート(Tri-gate)トランジスタを採用すると発表した。同Tri-gateトランジスタのプレゼン資料はIntelのWebサイト(注:リンク先はPDF)に公開されている。 これまでの一般的なMOSトランジスタは、図1のようにシリコン ...

TSMC, the world's largest semiconductor manufacturing foundry, announced on April 3, 2019 that it completed its 5nm process manufacturing infrastructure and began ...

・ 独自技術で構成された、最先端半導体製造装置を有する共用パイロットラインを国内で初めて構築 共用可能なプロセスで、最先端ロジック半導体で使用されるゲートオールアラウンド（GAA）構造 ・ トランジスタの試作が可能に ・ 共用パイロットライン ...

300 mmウエハーの共用パイロットラインで新規装置・材料の技術検証が可能に 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 (以下「産総研」という) 先端半導体研究センターは、NEDO（国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構）助成事業の元、国内 ...

産業技術総合研究所(産総研)は11月5日、2nmをはじめとする先端ロジック半導体で活用されるトランジスタ構造「ゲートオールアラウンド(GAA)」を独自技術に基づき実現するとともに、企業などが利用可能な共用パイロットラインを確立したことを発表した。

従来、微細加工技術及び真空製造プロセスを適応しなければ、高性能有機薄膜トランジスタは製造できなかった。 印刷技術を用いることで、常温常圧下で簡便に有機薄膜トランジスタを創製できる技術を実現した。 微細加工技術を用いることなく、有機 ...

Taiwan Semiconductor Manufacturing Co (TSMC, 台積電), the world’s leading advanced chipmaker, officially began volume production ...

葬送のフリーレン：テレビアニメ第2期新監督起用の経緯 本プレスリリースは発表元が入力した原稿をそのまま掲載しております。詳細は上記URLを参照下さい。また、プレスリリースへのお問い合わせは発表元に直接お願いいたします。 300 mmウエハーの共用 ...