Discrete power MOSFETs employ semiconductor processing techniques that are similar to those of today’s VLSI circuits, although the device geometry, voltage and current levels are significantly ...

2022年1月1日に、「グローバル金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に関する市場レポート, 2017年-2028年の推移と予測、会社別、地域別、製品別、アプリケーション別の情報」の調査資料を発表しました。金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET ...

日本原子力研究所（理事長 岡_ 俊雄）（以下「原研」）と独立行政法人 産業技術総合研究所（理事長 吉川 弘之）（以下「産総研」）は共同で、炭化ケイ素半導体を基板としたトランジスタ（半導体素子）を開発し、性能指標であるチャンネル移動度（電子 ...

産業技術総合研究所(産総研)ナノエレクトロニクス研究部門 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンターの福田浩一 研究員らの研究グループは、トンネル電界効果トランジスタ(トンネルFET)の回路動作を予測する回路シミュレーションのための素子 ...

電力は現代の電子設計における重要な側面であり、エンジニアは多様なデバイスを活用して、エネルギー効率に優れたコンパクトな電源回路を設計しています。こうしたデバイスには、簡素なダイオードなどのディスクリート部品から、高度な半導体 ...

独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 野間口 有】（以下「産総研」という）ナノエレクトロニクス研究部門【研究部門長 金丸 正剛】連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター【連携研究体長 横山 直樹】福田 浩一 研究員らは、トンネル ...

ローム株式会社（本社：京都市）は、照明の小型電源やポンプ、モーターなどに最適で、小型SOT-223-3パッケージ（6.50mm×7.00mm×1.66mm）の600V耐圧Super Junction MOSFET(*1)「R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4」の5機種を開発しました。 新製品は、従来のTO-252 ...

トランジスタのコストならびにサイズ効率と、同程度の定格を有するMOSFETと 同等の電力効率を組み合わせ、コスト要求の厳しいパワー・マネージメント・ アプリケーションやDC-DCコンバータ向けに省スペース・ソリューションを提供 します。 -40V/-5A定格のPNP型 ...