2011年5月4日、Intelは次世代の22nmプロセスではトライゲート(Tri-gate)トランジスタを採用すると発表した。同Tri-gateトランジスタのプレゼン資料はIntelのWebサイト(注:リンク先はPDF)に公開されている。 これまでの一般的なMOSトランジスタは、図1のようにシリコン ...

5nmプロセス世代のトランジスタは、現在とは大きく構造が変わる可能性がある。現在のトランジスタは、魚のフィン(ヒレ)を立てたような「FinFET」を使っている。しかし、5nm以降のプロセスでは、細いチューブを縦に並べたような「Nanowire(ナノワイヤ)」や ...

300 mmウエハーの共用パイロットラインで新規装置・材料の技術検証が可能に 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 (以下「産総研」という) 先端半導体研究センターは、NEDO（国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構）助成事業の元、国内 ...

このオングストローム世代のIntelプロセスでは、「2つの新技術」が採用されることがアピールされている。 RibbonFET（GAAFET／GAAトランジスタ） 1つは「GAAFET（Gate All Around Fin field Effect Transistor）（GAAトランジスタ）」だ。Intelではこれを「RibbonFET」と呼んでいる。

すべての要素プロセスは、NEDO事業を共同で実施する半導体製造装置メーカー3社と個別に連携して開発し、特に、GAA構造トランジスタ形成の主要工程となる、シリコン・シリコンゲルマニウムエッチング工程、高誘電率ゲート絶縁膜・金属ゲート電極構造の形成工程は、各社から産総研への人材の派遣も含め、それぞれ密接な連携の元、開発を進めました。

東芝は9月18日、モータ駆動、リレー駆動、LED駆動などの用途に用いられてきた同社のバイポーラトランジスタ型トランジスタ・アレイ「TD62xxxシリーズ」の後継品として、最新のDMOS FET型出力を持つBiCDトランジスタ・アレイ「TB62xxxAシリーズ」を開発している ...

従来、微細加工技術及び真空製造プロセスを適応しなければ、高性能有機薄膜トランジスタは製造できなかった。 印刷技術を用いることで、常温常圧下で簡便に有機薄膜トランジスタを創製できる技術を実現した。 微細加工技術を用いることなく、有機 ...

トランジスタ密度向上を加速させてプロセスコスト上昇を相殺 2016年の半導体学会ISSCC(IEEE International Solid-State Circuits Conference)には、Intelの製造部門を統括するWilliam M. Holt氏(Executive Vice President, General Manager, Technology and ...

朝ドラ：来年度後期は「ブラッサム」主演は石橋静河 モデルは… 本プレスリリースは発表元が入力した原稿をそのまま掲載しております。詳細は上記URLを参照下さい。また、プレスリリースへのお問い合わせは発表元に直接お願いいたします。 300 mm ...