スウェーデンのリンショーピング大学とスウェーデン王立工科大学(KTH)の研究者が、木材を組み合わせることで継続的に動作可能なトランジスタを作ることに世界で初めて成功したと発表しました。 トランジスタは電流を制御したり増幅したりする電子部品で ...

NTTが世界に先駆けて半導体化に成功した窒化アルミニウム（AlN）（※1）の半導体技術を発展させ、AlN系高周波トランジスタの動作に世界で初めて成功しました。 これまでAlN系トランジスタの高周波信号増幅を妨げていた高い接触抵抗とチャネル抵抗の課題 ...

国立研究開発法人 産業技術総合研究所（以下「産総研」という）先進パワーエレクトロニクス研究センターパワーデバイスチーム 中島 昭 主任研究員、原田 信介 研究チーム長は、ワイドバンドギャップ半導体である窒化ガリウム（GaN）を用いた高電子移動度 ...