産業技術総合研究所(産総研)は11月5日、2nmをはじめとする先端ロジック半導体で活用されるトランジスタ構造「ゲートオールアラウンド(GAA)」を独自技術に基づき実現するとともに、企業などが利用可能な共用パイロットラインを確立したことを発表した。

NTTが世界に先駆けて半導体化に成功した窒化アルミニウム（AlN）（※1）の半導体技術を発展させ、AlN系高周波トランジスタの動作に世界で初めて成功しました。 これまでAlN系トランジスタの高周波信号増幅を妨げていた高い接触抵抗とチャネル抵抗の課題 ...