In this work, we will demonstrate first negative capacitance transistor (NCFET) with ferroelectric HfO2 thin film by establishing device design and developing material for ultralow power operation. A ...
トランジスターを数ナノメートルに縮小すると、量子トンネル効果に起因するリーク電流などの問題が生じる。これに対処するため、ゲート誘電体として数ナノメートル厚のHfO 2 などの高誘電率材料を用いて、キャパシタンスが増大され短チャネル効果が ...
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