MOSFETトランジスタ市場レポートは、本質的な市場のダイナミクスと成長を誘発する要因を考慮して、成長率と市場価値を調べています。 MOSFETトランジスタ市場レポートの作成中に、著者が考慮に入れた重要な市場要素は、市場規模、シェア、価値、現在の ...

金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)市場エグゼクティブサマリ 1) 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)市場規模 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)市場に関する当社の調査レポートによると、市場は予測期間（2026―2035年）に ...

前回、こちらの記事で、半導体とダイオードまでをまとめた。 【電子回路】バイポーラートランジスタ（BJT）・MOSFET トランジスタにはNPN型とPNP型の2つがある。 BJTは電流駆動型で、小さなベース電流でコレクターからエミッターへの大き kazulog.fun 今回は ...

産業技術総合研究所（東京都千代田区）は12月5日、富士電機（東京都品川区）との共同研究で、電気自動車などに利用されるパワーモジュールの高効率化・高信頼化に貢献する、SiC（炭化ケイ素）を用いた新型MOSFET（トランジスタ）を開発し、量産レベルの ...

株式会社マーケットリサーチセンター（本社：東京都港区、世界の市場調査資料販売）では、「RFトランジスタの世界市場2020年：メーカー別、地域別、種類・用途別」調査資料の販売を2021年1月21日に開始いたしました。RFトランジスタの市場規模、動向 ...

東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻の横山正史特任研究員らの研究チームは、Si基板上にIII-V族化合物半導体を集積する技術を開発、Al 2 O 3 を埋め込み酸化膜層とするIII-V-On-Insulator(III-V-OI)基板を実現し、その基板上に作製したIII-V-OI MOSトランジスタ ...

小型のトランジスタは数年で普及したが、一般的になってくると種類が増えてくる。1960年代の後半に、エピタキシャル・トランジスタが作られて、トランジスタの高周波性能が大幅に向上するとともに、今のICと同じような作り方となり、価格も急速に ...

1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発 －ハイブリッド車(HEV)/電気自動車(EV)向けの高 ...

国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）先進パワーエレクトロニクス研究センター【研究センター長 奥村 元】SiCデバイスプロセスチーム 原田 信介 研究チーム長らは、富士電機株式会社、住友電気工業 ...

1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発 －ハイブリッド車(HEV)/電気自動車(EV)向けの高 ...