The National Institute for Advanced Industrial Science and Technology (AIST, President: Hiroyuki Yoshikawa) and Tohoku University (President: Takashi Yoshimoto) have succeeded in manufacturing a ...
-ソフトな中性粒子ビーム技術で30%の性能向上、技術世代32ナノメートルも可能に- 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】(以下「産総研」という)エレクトロニクス研究部門【部門長 和田 敏美】先端シリコンデバイスグループ 遠藤 ...
東北大学(東北大)は、GeチャネルMOSトランジスタの製造プロセスにおけるゲート絶縁膜形成に、無損傷で低温酸化が実現できる中性粒子ビーム酸化プロセスを用いて、2.0nm以下の極薄高品質Ge酸化膜の直接形成を実現し、電気的にMOSトランジスタ界面が超低 ...
東京大学は、従来のトランジスタと比べて極めて低い0.3V程度の電圧で動作しうる、トンネル電流を用いた新しいトランジスタの開発に成功した。亜鉛を用いた新しい接合形成技術により、従来のトランジスタとほぼ同等の構造で高い性能を有する。新しい ...
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