P. Schuddinck氏らによるVLSIシンポジウム2022の報告で、4T標準セル設計におけるモノリシックCFETとシーケンシャルCFETのPPAC評価が提示された。 Ryckaert氏は、「このベンチマークにより、モノリシックプロセスフローを使用して製造されたCFETは、実効 ...
imecのA.Vandooren氏らはVLSIシンポジウム2022にて、薄膜層転写を可能にする3つの異なるプロセスを評価したことを報告している。この論文では、トップ(完全空乏型シリコンオンインシュレータ:FD-SOI)デバイスとボトム(バルクFinFET)デバイスの両方のデバイス性能 ...
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