このリリースは、独インフィニオンテクノロジーズ社が9月26日付けで発表した資料の日本語訳です。原文（英語版、ドイツ語版）は、インフィニオンのドイツ本社のホームページに掲載しております。 インフィニオン、高速スイッチングのための第6世代 ...
回路保護分野におけるグローバルリーダー、リテルヒューズ・インクの日本法人であるLittelfuseジャパン合同会社は、当社の既存のSiC（シリコンカーバイド）ショットキーダイオード製品群を拡充する、「GEN2シリーズ」の新8種を本年6月下旬より発売します。
Medium-voltage CoolGaN G5 transistors from Infineon include a built-in Schottky diode to minimize dead-time losses and enhance system efficiency. The integrated diode also streamlines power stage ...
On our travels round the hardware world we’ve encountered more than one group pursuing the goal of making their own silicon integrated circuits, and indeed we’ve seen [Sam Zeloof] producing some of ...
Infineon Technologies AG has introduced the CoolSiC Schottky diode 2000 V G5, targeting industrial applications with higher power levels and minimized power losses. The CoolSiC Schottky diode is the ...
CAMARILLO, Calif.--(BUSINESS WIRE)--Semtech Corporation (Nasdaq: SMTC), a leading supplier of high-performance analog and mixed-signal semiconductors and advanced algorithms, announced the ...
Nexperia has created a 20A 1,200V SiC Schottky diode, using a merged PiN structure to increase surge current capability. For 10ms half-sine pulses its rating is 135A, 91A 2 /s at 25°C, and 100A, 50A 2 ...
Infineon Technologies has introduced the world’s first gallium nitride (GaN) power transistors with integrated Schottky diode for industrial use. The product family of medium-voltage CoolGaN ...
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