東京大学(東大)は、エッジ機器におけるAI推論で期待される、低電力エッジAI半導体であるReRAM CiM(Computation-in-Memory)の多値記憶による大容量化と10年記憶の両立に成功したことを発表した。 閉じる 同成果は、同大大学院工学系研究科の竹内健 教授、松井千尋 ...

台湾Winbond Electronics(以降はWindbondと表記)は、製品水準の品質を備える512Kbitの抵抗変化メモリ(ReRAM)を開発し、国際学会IEDMで12月4日(米国時間)にその概要を発表した(講演番号2.6)。 ReRAMは次世代不揮発性メモリの候補の1つで、DRAMに近い高速の読み書きと、電源 ...

富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社は、ReRAM(Resistive Random Access Memory)としては最大メモリ容量となる12MビットReRAM「MB85AS12MT」を開発し、今月からサンプル提供を開始しました。 本製品は、12Mビットのメモリ容量を約2mm x 3mmの小型 ...

中央大学理工学部の竹内健教授が、機械学習で抵抗変化型メモリ（ReRAM）のエラーを予測し、メモリの寿命を13倍に増加させることに成功した。ReRAMはフラッシュメモリの1万倍も高速に書き換えが可能だが、多くの書き換えを繰り返すと、データを記憶する ...

物質・材料研究機構(NIMS)は、Al陽極酸化膜を用いた希少元素フリー抵抗変化型メモリ(ReRAM)の電子状態を熱刺激電流測定によって明らかにし、第1原理計算から導いた動作原理モデルの妥当性を検証したと発表した。 同成果は、木戸勇元強磁場センター長らに ...

パナソニック株式会社 オートモーティブ＆インダストリアルシステムズ社は、2013年8月より次世代不揮発性メモリReRAM[1]をマイコンに搭載し世界で初めて(※1)量産を開始します。本マイコンを使用することによりポータブル機器やセキュリティ機器等、電池 ...

ReRAMとNANDフラッシュ・メモリを組み合わせたハイブリッドSSDによって、データの断片化を抑制 中央大学 理工学部 電気電子情報通信工学科 教授の竹内健氏らの研究グループは、高速な書き換えが可能なReRAM（抵抗変化型メモリ）と大容量のNANDフラッシュ ...

パナソニックの半導体部門とシリコンファウンダリ最大手のTSMCがそれぞれ独自に、来年(2019年)の製品化を目指して次世代抵抗変化メモリ(ReRAM)技術を開発している。ReRAMは次世代不揮発性メモリの候補の1つで、不揮発性メモリの主流であるフラッシュメモリ ...

A new memory technology company, Crossbar, has broken cover with a new ReRAM design it claims will allow for commercialization of the technology. The company's claims aren't strictly theoretical; ...

NAND型フラッシュメモリより1000倍高速で消費電力は1000分の1というReRAM。このReRAMを開発しているイスラエルのスタートアップ企業の取り組みを紹介する。 同社CEOのコビー・ハノック氏は、フランスの本誌姉妹誌LeMagITに「当社は製品を1ステージずつ開発する ...

抵抗変化型メモリ(ReRAM)とフラッシュメモリを組み合わせることで性能や寿命を飛躍的に高めたハイブリッドSSDアーキテクチャが、中央大学理工学部の竹内健教授によって開発されました。消費電力が93％削減されるため、このハイブリッドSSDをスマート ...

ReRAMなどの不揮発性RAMをキャッシュ・メモリに利用したSSDのアーキテクチャ 日本で次世代メモリの大型共同開発プロジェクトがスタートする。エルピーダメモリ,シャープ,東京大学,産業技術総合研究所が,Gビット級の抵抗変化型メモリ（ReRAM）を共同開発する。