高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発 東芝デバイス＆ストレージ株式会社と株式会社東芝（以下、東芝グループ）は、SiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を搭載したパワーモジュールにおいて、スイッチング動作時に並列接続間で ...

Kenneth Researchは調査レポート「グローバルインテリジェントパワーモジュール市場：世界的な需要の分析及び機会展望2030年」2021年09月 08日 に発刊しました。レポートは、企業概要 、製品種類、販売量 、市場規模 、メーカ概要 、市場シェア 、などが含まれ ...

Microchip ...

STマイクロエレクトロニクス、SiCインバータの設計を簡略化する柔軟性に優れたパワー・モジュールを発表 STマイクロエレクトロニクス（NYSE:STM、以下ST）は、1200V耐圧のSiC（炭化ケイ素）パワーMOSFETを汎用性に優れた構成で内蔵したSTPOWERパワー・モジュール ...

東芝は6月4日、絶縁基板に「樹脂」を用いたSiCパワー半導体モジュールにおいて、単位面積あたりの電力処理能力を示す「電力密度」を向上可能な樹脂絶縁型「SiCパワー半導体モジュール(SiCパワーモジュール)」を開発したことを発表した。 SiCパワー ...

2026年2月4日[NASDAQ: MCHP] - 増大するAIおよびHPC(高性能コンピューティング) ...

富士電機は、パワー半導体事業の強化に向けて、素子やモジュールの新技術開発を加速させている。現行製品に比べて損失を低減したシリコン（Si）や炭化ケイ素（SiC）のパワー素子を搭載したモジュール製品を2025年ごろから順次量産する予定だ。新たな ...

2024年におけるIGBTパワーモジュールの世界市場規模は、7604百万米ドルと予測され、2025年から2031年の予測期間において、年間平均成長率（CAGR）13.6%で成長し、2031年までに18340百万米ドルに達すると予測されている。 市場セグメント分析 IGBTパワーモジュール ...

多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、電気自動車（EV）の性能向上と航続距離の延長に貢献する高電力のSiC（炭化ケイ素）パワー･モジュール5製品を発表しました。これらの ...

矢野経済研究所では、次の調査要綱にてパワーモジュールの世界市場について調査を実施いたしました。 ＜パワーモジュールとは＞ 本調査におけるパワーモジュールとは、電力変換で使われるパワー半導体のIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）とダイオードを ...

YH Research株式会社（本社：東京都中央区）は調査レポート「グローバル車載用SiCパワーモジュールのトップ会社の市場シェアおよびランキング 2024」を5月14日に発行しました。本レポートでは、車載用SiCパワーモジュール市場の製品定義、分類、用途、企業 ...