SiCパワーモジュールにおける並列接続チップ間の寄生発振を 高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発 東芝デバイス＆ストレージ株式会社と株式会社東芝（以下、東芝グループ）は、SiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を搭載したパワー ...

インフィニオン、シミュレーションプラットフォーム「IPOSIM」に自動ライフタイム測定機能を追加、最適な部品選定をよりシンプルに このリリースは、独インフィニオンテクノロジーズ社が3月11日付けで発表した資料の日本語訳です。原文(英語版、ドイツ ...

Intelによる「高抵抗-Si基板上へのGaNチップレットの集積」 Paper #36.2, “GaN Chiplet Technology Based on 300mm GaN-on-Silicon(300mm GaN-on-Siliconに基づくGaNチップレット技術)” H. W. Then et al, Intel Intelの研究者らは、300mm GaN-on-Silicon MOS ...

～社外との共創でEVなどの電動化へ貢献～ 株式会社レゾナック（社長：高橋 秀仁）は、自動車の電動化に欠かせない「パワー半導体」とこれをパッケージした「パワーモジュール」の材料開発を強化するため、「パワーモジュールインテグレーション ...

株式会社シーエムシー出版（本社：東京都千代田区神田錦町1-17-1、代表取締役：辻賢司）は、軟磁性材料の開発や受動素子技術、シミュレーション技術、車載用パワーエレクトロニクス技術の動向について解説した書籍『パワーエレクトロニクス技術の進展 ...

Realized motor drive by power module with built-in SiC CMOS gate driver The unique gate drive method reduces noise and contributes to improved reliability of the motor system. Energy loss during ...

最先端パワー半導体の開発を行う京大発ベンチャーの株式会社FLOSFIA(本社：京都市西京区、代表取締役社長：人羅俊実、以下「FLOSFIA」)は、小型・薄型・低電力損失で金型レスの新型パワーモジュール（注)の開発を完了しました。 最先端パワー半導体の開発 ...

パワーモジュールの材料を革新させる 評価・開発拠点が本格始動 〜社外との共創でEVなどの電動化へ貢献〜 株式会社レゾナック（社長:高橋 秀仁）は、自動車の電動化に欠かせない「パワー半導体」とこれをパッケージした「パワーモジュール」の材料開発 ...

～「小面積チップの分散配置設計」と「AIを活用した設計最適化」で、 熱抵抗を21％低減。電力変換器の小型化によりカーボンニュートラルの実現に貢献～ 概要 当社は、絶縁基板に「樹脂」を用いたSiC（炭化ケイ素）パワー半導体モジュールにおいて、単位 ...

SiCパワーモジュールの特徴は、Si比で小型・薄型化と低損失化の両立が実現できることである。このため、2022年から2025年にかけて市場投入が活発化するハイエンドEVを中心に搭載車が拡大する見込みである。 その背景には、駆動モータの高出力化と、車内 ...