高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発 東芝デバイス＆ストレージ株式会社と株式会社東芝（以下、東芝グループ）は、SiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を搭載したパワーモジュールにおいて、スイッチング動作時に並列接続間で ...

レゾナックは1月17日、自動車の電動化に欠かせない「パワー半導体」と、これをパッケージした「パワーモジュール」の材料開発を強化するため、栃木・小山事業所内に「パワーモジュールインテグレーションセンター」（PMiC）を本格始動させると発表した。

Intelによる「高抵抗-Si基板上へのGaNチップレットの集積」 Paper #36.2, “GaN Chiplet Technology Based on 300mm GaN-on-Silicon(300mm GaN-on-Siliconに基づくGaNチップレット技術)” H. W. Then et al, Intel Intelの研究者らは、300mm GaN-on-Silicon MOS ...

～社外との共創でEVなどの電動化へ貢献～ 株式会社レゾナック（社長：高橋 秀仁）は、自動車の電動化に欠かせない「パワー半導体」とこれをパッケージした「パワーモジュール」の材料開発を強化するため、「パワーモジュールインテグレーション ...

最先端パワー半導体の開発を行う京大発ベンチャーの株式会社FLOSFIA(本社：京都市西京区、代表取締役社長：人羅俊実、以下「FLOSFIA」)は、小型・薄型・低電力損失で金型レスの新型パワーモジュール（注)の開発を完了しました。 最先端パワー半導体の開発 ...

パワーモジュールの材料を革新させる 評価・開発拠点が本格始動 〜社外との共創でEVなどの電動化へ貢献〜 株式会社レゾナック（社長:高橋 秀仁）は、自動車の電動化に欠かせない「パワー半導体」とこれをパッケージした「パワーモジュール」の材料開発 ...

2026年2月4日[NASDAQ: MCHP] - 増大するAIおよびHPC(高性能コンピューティング) ...

SiCパワーモジュールの特徴は、Si比で小型・薄型化と低損失化の両立が実現できることである。このため、2022年から2025年にかけて市場投入が活発化するハイエンドEVを中心に搭載車が拡大する見込みである。 その背景には、駆動モータの高出力化と、車内 ...

SiCパワーモジュールにおける並列接続チップ間の寄生発振を 高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発 東芝デバイス＆ストレージ株式会社と株式会社東芝（以下、東芝グループ）は、SiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を搭載したパワー ...

インフィニオン、シミュレーションプラットフォーム「IPOSIM」に自動ライフタイム測定機能を追加、最適な部品選定をよりシンプルに このリリースは、独インフィニオンテクノロジーズ社が3月11日付けで発表した資料の日本語訳です。原文(英語版、ドイツ ...

Kenneth Researchは調査レポート「グローバルインテリジェントパワーモジュール市場：世界的な需要の分析及び機会展望2030年」2021年09月 08日 に発刊しました。レポートは、企業概要 、製品種類、販売量 、市場規模 、メーカ概要 、市場シェア 、などが含まれ ...