【プレスリリース】発表日:2026年02月16日新型SiCモジュール搭載の3相インバータ向けリファレンスデザインを公開！ローム株式会社（本社 : 京都市）は、EcoSiC(TM)ブランドのSiCモールドモジュール「HSDIP20( https://www.rohm.co.jp/products/sic-power-devices/sic-power-module?page=1&PS_Package ...

オンセミ、エネルギー消費量と総システムコストを削減するSiCベースのインテリジェントパワーモジュールを発表 EliteSiC SPM31インテリジェントパワーモジュール（IPM）は小型のインバーターモータードライブに最高の効率および性能を実現 オンセミ（本社 ...

三菱電機株式会社は、電気自動車（EV）やプラグインハイブリッド車（PHEV）用モーター等のインバーター駆動に用いるxEV用パワー半導体モジュールとして、小型化を実現し、SiC-MOSFET（※1）やRC-IGBT（Si）（※2）素子を搭載したJ3-T-PMを開発しました。J3-T-PMを ...

高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発 東芝デバイス＆ストレージ株式会社と株式会社東芝（以下、東芝グループ）は、SiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を搭載したパワーモジュールにおいて、スイッチング動作時に並列接続間で ...

三菱電機は、電気自動車(EV)やプラグインハイブリッド車(PHEV)用モーターなどのインバータ駆動に用いられるxEV用パワー半導体モジュールとして、SiC-MOSFETやRC-IGBT(Si)素子を搭載した「J3-T-PM」を開発。2024年1月24日～26日にかけて東京ビッグサイトにて開催され ...

富士通ゼネラルエレクトロニクス(FGEL)は1月12日、パワーモジュールの増産と安定供給に対応するべく投資額8億円をかけ、生産拠点を拡大することを発表した。新たに設置される生産ラインについては、大分県大分市にある大分デバイステクノロジー(ODT)を ...

新開発の小型T-PMと豊富なラインアップで、xEV用インバーターの小型化等に対応 xEV用SiC／Siパワー半導体モジュール「J3シリーズ」J3-T-PM xEV用SiC／Siパワー半導体モジュール「J3シリーズ」 J3-HEXA-S xEV用SiC／Siパワー半導体モジュール「J3シリーズ」 J3-HEXA-L 三菱 ...

2024年におけるIGBTパワーモジュールの世界市場規模は、7604百万米ドルと予測され、2025年から2031年の予測期間において、年間平均成長率（CAGR）13.6%で成長し、2031年までに18340百万米ドルに達すると予測されている。 市場セグメント分析 IGBTパワーモジュール ...

ミネベアミツミの連結子会社であるミネベアパワーデバイスとサンケン電気は、民生品および産業品向けインテリジェントパワーモジュール市場において、後工程の生産協業および共同製品開発に関する技術提携を行うことで合意した。 脱炭素社会への貢献 ...