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三菱電機、EV向けトレンチ型SiC-MOSFETチップ4品種を開発…電力損失を ...
三菱電機は1月21日、EVのトラクションインバーターやオンボードチャージャー、太陽光発電等の再生可能エネルギー用電源システムなどのパワーエレクトロニクス機器に使用可能なトレンチ型SiC-MOSFETチップ4品種のサンプル提供を開始する。
STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、Nチャネル パワーMOSFETのMDmesh(TM) M2シリーズを拡張する新製品ファミリ MDmesh M2 EPを発表しました。同製品ファミリは、特にサーバ、ノートPC、通信機器、コンスーマ機器などの電源の軽負荷時において業界 ...
■EVや太陽光発電向けに対応、低消費電力化と性能維持に貢献 ...
車載機器の低消費電力化に貢献する100V耐圧NチャネルパワーMOSFETについて ~最新世代プロセスを採用した「U-MOS X-Hシリーズ」発売~ 当社は、48V系車載機器のロードスイッチ、スイッチング電源、モーター駆動などに適した100V耐圧NチャネルパワーMOSFET ...
図2は、電力段PCB設計での部品のリードや最適化されていないレイアウトに起因する寄生インダクタンスと寄生容量を示しています。これらのPCB寄生成分が電圧リンギングを発生させ、結果としてMOSFETに電圧ストレスがかかります。 リンギングの原因の1つは ...
STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、主要な特性の改善により、システム全体における電力損失の大幅な削減に貢献するスーパー・ジャンクション型の新しいパワーMOSFET「STPOWER MDmesh K6シリーズ」を発表しました。同製品は、LEDドライバ、HID ...
先ごろ、デバイスメーカーの大手インターシルは、DC-DCコンバーターやスイッチング電源などの消費電力を効率良くする、パワーMOSFET(電界効果型トランジスタ)の新技術“DenseTrenchテクノロジー”を発表し、この技術を応用した製品を夏ごろに投入すると発表 ...
・ ダイヤモンドMOSFETのアンペア級高速スイッチング特性を世界で初めて実証 国立研究開発法人 産業技術総合研究所(以下「産総研」という)先進パワーエレクトロニクス研究センター 新機能デバイスチーム 梅沢 仁 上級主任研究員、牧野 俊晴 研究チーム ...
STMicroelectronicsは、生活家電、テレビ、PC、通信、サーバ用スイッチング電源などにおけるパワー回路の効率を向上させる最新のパッケージ技術を採用した、スーパージャンクション型のMDmesh VパワーMOSFET「STW57N65M5-4」を発表した。 従来のパッケージは ...
次世代モビリティのパワーユニット駆動に向けたダイヤモンドパワー半導体 国立研究開発法人 産業技術総合研究所(以下「産総研」という)先進パワーエレクトロニクス研究センター 新機能デバイスチーム 梅沢 仁 上級主任研究員、牧野 俊晴 研究チーム ...
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