Discrete power MOSFETs employ semiconductor processing techniques that are similar to those of today’s VLSI circuits, although the device geometry, voltage and current levels are significantly ...

ローム株式会社（本社:京都市）は、5060サイズ（5.0mm×6.0mm）のパッケージで、業界トップクラスのSOA（*1）耐量を実現した ...

トヨタ自動車がSiCトランジスタを開発していることを明らかにした。トヨタとデンソー、豊田中央研究所の3社による共同開発だ。これまではデンソーが積極的にSiCパワーMOSFETとSBD(ショットキバリアダイオード)を開発してきたが、トヨタがSiCパワー半導体を ...

新製品投入（New Product Introduction : NPI）の業界リーダー(TM)として、イノベーションを推進するMouser Electronics（ https://www.mouser ...

STマイクロエレクトロニクス（以下、ST）は、第4世代 STPOWER SiC（炭化ケイ素）パワーMOSFETを発表した。 この第4世代技術は、電力効率、電力密度、および堅牢性の向上を実現する。車載機器および産業機器市場のニーズに対応し、特にEVパワートレインの主要 ...

2023年10月11日に、QYResearchは「グローバルシールドゲートトレンチパワーMOSFETに関する調査レポート, 2023年-2029年の市場推移と予測、会社別、地域別、製品別、アプリケーション別の情報」の調査資料を発表しました。シールドゲートトレンチパワーMOSFETの ...

産業技術総合研究所(産総研)は5月31日、SiC耐電圧1.2kVクラスのSiC縦型MOSFETと、SiC CMOSで構成された駆動回路を1チップに集積した「SiCモノリシックパワーIC」のスイッチング動作を実証することに成功したと発表した。 同成果は、産総研 先進パワー ...