本節では、FETを用いたバッファ回路を、いくつか紹介します。まず最初に、KORG Nutubeの基本回路図に使われている、接合型FET(ジャンクションFET、J-FET)を用いたバッファ回路を説明します。次に、この回路においてJ-FETをパワーMOS-FETに変更した簡単なバッファ ...

3パワー・デバイスの主役であるMOS FETとIGBT パワー個別半導体はPBT，MOS FET，IGBTなどに分けられる。このうちPBTは古い製品であり，現在はMOS FETとIGBTが主役になっている。このうちMOS FETは，耐圧が40V程度までの低・中耐圧向けと，それ以上の高耐圧向けの二つ ...

E-450の後継機。同社のAB級プリメインアンプとして久しぶりに「パワーMOS FET」を出力素子に搭載した。またボリューム回路には、アナログ処理による独自のAAVA方式を採用し、音質を高めている。 パワーアンプ部は最新のInsturumentation Amplifier方式を採用し ...

ロームが，ハイブリッド車などの駆動回路に向けたパワー半導体のSiC-MOS FETを開発，2008年頃の量産を目指してサンプル出荷を始める。SiC-MOS FETはSi-MOS FETに比べて動作時の電力損失が少なく，動作温度の上限が高いという特徴があるが，実用化されていなかっ ...

アキュフェーズは、「創立50周年モデル」の第5弾となるA級モノーラルパワーアンプ「A-300」を10月下旬に発売する。価格は￥2,970,000（ペア、税込）。 A-300は、2017年に発売され世界中で高い評価を獲得した「A-250」の後継モデルとなる、純A級モノフォニック ...

日本に大手の半導体企業(半導体メーカー)はほとんど残っていない。そのように考えられる向きが少なくない。半導体メモリメーカーの繁栄と没落の記憶が、未だに強く刻まれているからだろう。とくにDRAMメーカーは1980年代に隆盛を誇っていたにも関わらず ...

ステラでは、ギリシア、Ypsilon（イプシロン）のモノーラルパワーアンプの新製品を発売する。8月1日のリリース予定だ。 モノーラルパワーアンプ イプシロンAelius 2 Mono SE ￥ 8,580,000 （ペア、税込） 「Aelius 2 Mono SE」は、半導体、真空管、トランスなどの ...