3D NANDフラッシュの行き過ぎた高層化による弊害 NANDフラッシュメモリ大手のキオクシアは、従来に比べて3D NANDフラッシュメモリの記憶密度を2倍に高めるアーキテクチャを開発し、メモリセルの試作結果を国際学会「IEDM」で2024年12月11日(米国時間)に発表した ...

ベルギーの研究開発機関であるimecを中心とする研究チームは、超大容量不揮発性メモリの製造技術である「3D NAND技術」を強誘電体メモリに応用し、メモリセルを試作した結果を国際学会IEDM(米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催)で12月3日(現地時間 ...

As the scale of artificial intelligence (AI) models grows rapidly, securing the performance of memory semiconductors has become a key issue. NAND flash, a type of memory semiconductor with much larger ...

Released every 12 to 18 months, 3D NAND scaling outpaces most other semiconductor devices in replacement rate and performance ...

数十年にわたってNAND型フラッシュメモリは、低コストで大密度なデータストレージアプリケーションの主要なテクノロジーとして発展してきた。この不揮発性メモリは、スマートフォン(スマホ)、サーバー、PC、タブレット、USBドライブなど、すべての主要 ...

Samsung researchers have published a detailed account of an experimental NAND architecture that aims to cut one of the technology’s largest power drains by as much as 96%. The work — Ferroelectric ...

AI is driving demand and higher prices for DRAM and NAND into 2026.  Products using non-volatile memories to replace NOR and ...

東京理科大学と物質・材料研究機構（NIMS）の研究チームは、アンチ・アンバイポーラトランジスタと呼ばれる特殊な有機トランジスタを用い、5つの2入力論理演算回路（AND、OR、NAND、NOR、XOR）の動作を、単一素子で実証することに成功した。2つの入力電圧を ...

再び話を回路レベルに戻す。図3はXORとANDで構成されているが、これはトランジスタレベルでどう実装されているか、というのが図4である。 赤い破線で示した左側がNAND、右側がNOTとなる。ロジック回路ではNAND＝AND＋NOTであるが、回路的にはNAND回路を直接 ...