3D NANDフラッシュメモリの高層化が止まらない。垂直に連なるセルトランジスタの積層数、あるいはワード線の積層数は最大で、176層に達した。一昨年(2019年)の春には最大で128層だったので、2年間で積層数は1.375倍に増加した。 3D NANDフラッシュメモリの高層 ...

The part 1 of this two-article series outlined the NAND flash technology and how it transitioned from 2D to 3D NAND flash. The article also explained the current challenges in the way of density ...

NIMS and the Tokyo University of Science have succeeded in developing an organic anti-ambipolar transistor capable of performing any one of the five logic gate operations (AND, OR, NAND, NOR or XOR) ...

電源を失ってもデータを保持するメモリを「不揮発性メモリ」と呼ぶ。その一種に「EEPROM」（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）や、一般的な記録媒体としてよく知られる「NAND型フラッシュメモリ」、さらには「NOR型フラッシュメモリ」などがある。

2020年10月20日にNANDフラッシュメモリの大手ベンダーであるIntelとSK Hynixは、IntelのNANDメモリ事業とNANDメモリ搭載SSD事業をSK Hynixが買収することで合意したと発表した。買収金額は90億ドルである。 買収手続きの完了は2025年3月を予定する。かなり長い期間を ...

東京理科大学と物質・材料研究機構（NIMS）の研究チームは、アンチ・アンバイポーラトランジスタと呼ばれる特殊な有機トランジスタを用い、5つの2入力論理演算回路（AND、OR、NAND、NOR、XOR）の動作を、単一素子で実証することに成功した。2つの入力電圧を ...

前にCMOSの論理回路のスイッチ速度は負荷容量をドレイン電流で充放電する速度であることを述べたが、どの程度のドレイン電流を流せば良いのであろうか? 負荷を駆動する論理ゲートのトランジスタのサイズを大きくしてやれば、ドレイン電流が増えて速度 ...

トランジスタが故障したり、配線が切れたりショートしたりするとどのような現象が起こるのであろうか。 2入力NAND回路のトランジスタPAが故障し、常時オフ(オンにならない)という故障が起こったとすると、A=0、B=1 入力の状態ではトランジスタはPBがオフ ...