3D NANDフラッシュの行き過ぎた高層化による弊害 NANDフラッシュメモリ大手のキオクシアは、従来に比べて3D NANDフラッシュメモリの記憶密度を2倍に高めるアーキテクチャを開発し、メモリセルの試作結果を国際学会「IEDM」で2024年12月11日(米国時間)に発表した ...

As the scale of artificial intelligence (AI) models grows rapidly, securing the performance of memory semiconductors has become a key issue. NAND flash, a type of memory semiconductor with much larger ...

AI is driving demand and higher prices for DRAM and NAND into 2026.  Products using non-volatile memories to replace NOR and ...

ベルギーの研究開発機関であるimecを中心とする研究チームは、超大容量不揮発性メモリの製造技術である「3D NAND技術」を強誘電体メモリに応用し、メモリセルを試作した結果を国際学会IEDM(米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催)で12月3日(現地時間 ...

Samsung researchers have published a detailed account of an experimental NAND architecture that aims to cut one of the technology’s largest power drains by as much as 96%. The work — Ferroelectric ...

数十年にわたってNAND型フラッシュメモリは、低コストで大密度なデータストレージアプリケーションの主要なテクノロジーとして発展してきた。この不揮発性メモリは、スマートフォン(スマホ)、サーバー、PC、タブレット、USBドライブなど、すべての主要 ...

Designer and Developer of Non-Volatile Memories, Based on a Break-Through Technology, Expects to Offer Storage-Class Products With 4x the Density & 5-10x the Write Speed of Today’s NAND Flash ...

再び話を回路レベルに戻す。図3はXORとANDで構成されているが、これはトランジスタレベルでどう実装されているか、というのが図4である。 赤い破線で示した左側がNAND、右側がNOTとなる。ロジック回路ではNAND＝AND＋NOTであるが、回路的にはNAND回路を直接 ...