「IEDM 2010」の最終日である12月8日のセッションが完了した。最終日には、高性能プロセッサの基礎技術である次世代CMOSロジックと、大容量メモリの基礎技術である次世代NANDフラッシュメモリの開発成果が披露された。各講演の概要をご報告したい。 22nm ...
以前の図1.8に示したようにCMOS Static回路はPMOSとNMOSトランジスタを相補的に接続する構成であり、多入力のNANDやNORを作ろうとすると、どちらかのタイプのトランジスタを入力数だけ直列に接続する必要がある。 抵抗の直列接続と同じで、同じ大きさの ...
Micron Technologyは11月9日(米国時間)、176層3D NANDフラッシュメモリの出荷を開始したことを発表した。 この176層3D NANDは、これまでのアーキテクチャとは異なり、独自開発したCMOSアンダーアレイ構造(CuA)を採用している。CMOSトランジスタ層の上にメモリアレイを ...
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