キオクシア(東芝メモリ)-Western Digital(WD)連合の3D NANDフラッシュメモリは製品の量産にSamsung Electronicsの3D NANDセル技術を採用している。このことが、正式に明らかになった。 東芝が開発した3D NAND技術「BiCS」 東芝メモリ(以下は「東芝」と表記)は2007年に国際 ...

この下限の遅延時間はトランジスタのゲート入力容量とドレイン電流の比で決まる。 ITRS2004では2入力NANDゲートに同じゲート3個を負荷として接続した場合の遅延時間が示されており、90nmテクノロジでは約24ps、2007年の65nmテクノロジでは約16psとなっている。

3D NANDフラッシュの行き過ぎた高層化による弊害 NANDフラッシュメモリ大手のキオクシアは、従来に比べて3D NANDフラッシュメモリの記憶密度を2倍に高めるアーキテクチャを開発し、メモリセルの試作結果を国際学会「IEDM」で2024年12月11日(米国時間)に発表した ...