高精度の温度制御、稼働率の最大化、メンテナンス性向上により先進メモリテストを支援 株式会社アドバンテスト（本社 : 東京都千代田区 代表取締役 Group CEO : Douglas Lefever、以下「当社」）は、AI向けを中心に需要が拡大する高性能メモリデバイスの性能 ...

三次元垂直チャネル型の強誘電体/反強誘電体メモリデバイスを開発 〜IoTデバイスのメモリ大容量化へ期待〜 1. 発表者 ...

極限環境下での電子機器の開発には、高温下で安定に動作するSSDなどの不揮発性メモリデバイスが必要とされています。しかし、一般的な不揮発性メモリデバイスは、およそ300度の温度に達すると故障してしまいます。ペンシルバニア大学の研究チームが ...

アドバンテストは12月10日、AI向けを中心に需要が拡大する高性能メモリデバイスの性能・自動化・コスト最適化に対する要求に応える次世代メモリハンドラとして新製品「M5241」を発表した。 AIの技術進化や利用拡大が進むにつれて、AIやデータセンター分野 ...

産業技術総合研究所（産総研）と東京科学大学の研究チームが、次世代の低消費電力不揮発性メモリの有力候補となる新材料を開発しました。 この発表のポイントは以下の通りです。 強誘電体メモリに使用する新材料として、窒化ガリウム（GaN）に金属 ...

現代のテクノロジーは絶え間ない技術革新によって進化し続けています。その中でも、メモリスタは最も注目を集める次世代の電子デバイスの一つとして、学術界や産業界で大きな期待を集めています。 メモリスタは、電気抵抗の変化を記憶するメモリ素子 ...

・ 強誘電体メモリに使用する新材料として、窒化ガリウム（GaN）に金属添加物（Sc）を従来より高濃度に添加した、GaScN結晶を開発 ・ 開発したGaScNでは、従来の窒化物材料と比べ、メモリ動作に必要な電圧が6割減となる ・ 不揮発性メモリを使ったデバイス ...