極限環境下での電子機器の開発には、高温下で安定に動作するSSDなどの不揮発性メモリデバイスが必要とされています。しかし、一般的な不揮発性メモリデバイスは、およそ300度の温度に達すると故障してしまいます。ペンシルバニア大学の研究チームが ...

アドバンテストは12月10日、AI向けを中心に需要が拡大する高性能メモリデバイスの性能・自動化・コスト最適化に対する要求に応える次世代メモリハンドラとして新製品「M5241」を発表した。 AIの技術進化や利用拡大が進むにつれて、AIやデータセンター分野 ...

・ 強誘電体メモリに使用する新材料として、窒化ガリウム（GaN）に金属添加物（Sc）を従来より高濃度に添加した、GaScN結晶を開発 ・ 開発したGaScNでは、従来の窒化物材料と比べ、メモリ動作に必要な電圧が6割減となる ・ 不揮発性メモリを使ったデバイス ...

三次元垂直チャネル型の強誘電体/反強誘電体メモリデバイスを開発 〜IoTデバイスのメモリ大容量化へ期待〜 1. 発表者 ...

上海の復旦大学に所属する研究チームが、フラッシュメモリのデータ読み書き性能をピコ秒(1兆分の1秒)レベルまで高めたメモリデバイスを開発しました。「PoX」と名付けられたデバイスは400ピコ秒でのスイッチングが可能となっており、従来の世界記録を ...