メモリーウェハーテスターは、半導体製造工程においてメモリーデバイスの電気特性や機能をウェハー状態で評価する検査装置である。高速・多並列テストに対応し、DRAMやNANDフラッシュの品質管理と歩留まり向上を支える。先端プロセスにおける量産体制に不可欠な ...

・ 強誘電体メモリに使用する新材料として、窒化ガリウム（GaN）に金属添加物（Sc）を従来より高濃度に添加した、GaScN結晶を開発 ・ 開発したGaScNでは、従来の窒化物材料と比べ、メモリ動作に必要な電圧が6割減となる ・ 不揮発性メモリを使ったデバイス ...

三次元垂直チャネル型の強誘電体/反強誘電体メモリデバイスを開発 〜IoTデバイスのメモリ大容量化へ期待〜 1. 発表者 ...

同計測システムは、独自のX線技術を活用することでメモリデバイス構造のCDや3次元形状を高分解能に計測できるCD-SAXS(小角X線散乱CD計測)システムであり、高フラックスの線源は、メモリの縦構造全体を透過するX線を照射し、メモリ構造の厚みにかかわらず ...

高精度の温度制御、稼働率の最大化、メンテナンス性向上により先進メモリテストを支援 株式会社アドバンテスト（本社 : 東京都千代田区 代表取締役 Group CEO : Douglas Lefever、以下「当社」）は、AI向けを中心に需要が拡大する高性能メモリデバイスの性能 ...

サムスンの共同最高経営責任者（CEO）であるTM Roh氏は米国時間1月5日、「Galaxy AI」を搭載して提供するデバイスの数を2026年に8億台に倍増させるとReutersに語った。 Roh氏は「あらゆる製品、あらゆる機能、あらゆるサービスに、可能な限り速やかにAIを適用する」とReutersに述べた。

極限環境下での電子機器の開発には、高温下で安定に動作するSSDなどの不揮発性メモリデバイスが必要とされています。しかし、一般的な不揮発性メモリデバイスは、およそ300度の温度に達すると故障してしまいます。ペンシルバニア大学の研究チームが ...

産業技術総合研究所(産総研)センシングシステム研究センターおよび東京科学大学らの研究チームは4日、強誘電体メモリの駆動電圧を6割削減できる新材料を開発したと発表した。 メモリとストレージの中間に位置づけられる「ストレージクラスメモリ」に ...

また同社は、CXLメモリデバイス専用のHeterogeneous Memory Software Development Kit(HMSDK)を開発し、2022年の第4四半期にオープンソースとして配布予定であることも明らかにしている。 異なるグレードのメモリを1つのシステムで動作させることができるソフトウェア ...

朝ドラ：来年度後期は「ブラッサム」主演は石橋静河 モデルは… 本プレスリリースは発表元が入力した原稿をそのまま掲載しております。詳細は上記URLを参照下さい。また、プレスリリースへのお問い合わせは発表元に直接お願いいたします。 独自の窒化 ...

東京都が展開する「未来を拓くイノベーションTOKYOプロジェクト」は、都内ベンチャー・中小企業等が事業会社等とのオープンイノベーションによって取り組む革新的な製品・サービスの開発、改良、実証実験及び販路開拓を行うために必要な経費の一部を ...