東芝とSanDiskは、30nmと微細なプロセスによるフローティングゲート(FG)型NAND型フラッシュメモリセルを共同で試作し、その評価結果をIEDM 2008で明らかにした(講演番号34.1)。シングルレベルセル(SLC)で32Gビット、マルチレベルセル(MLC)で64Gビット以上の大容量NAND ...
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