Quantum computers, systems that process information leveraging quantum mechanical effects, will require faster and ...

シェアードメモリの場合は、デバイスメモリからデータをコピーしてくると、それは単なるデータ(値)であり、元のデバイスメモリのアドレスとは関係が切れてしまう。したがって、シェアードメモリのデータは、シェアードメモリに付けられたアドレスを ...

Spansionは26日、都内で記者会見を開き、同社が2007年11月に初めて発表し、2008年8月にSemiconductor Manufacturing International(SMIC)に生産委託を行うことを発表した同社のNAND型フラッシュメモリ「MirrorBit ORNAND2」に関する説明を行った。 同社は独自のチャージ ...

3D NANDフラッシュメモリ(3D NANDフラッシュ)の高密度化と大容量化は、基本的には2つの手法によって実行されてきた。1つは「高層化」である。メモリセルを垂直方向に積層(3次元積層)する数(ワード線の積層数)を高める。この高層化によってシリコン面積 ...

次世代不揮発性メモリ技術の有力候補である相変化メモリ(PCM)は、「熱に弱い」とされてきた。PCMは電気ヒーターによって記憶素子を加熱することで、データ(抵抗値)を書き換える。低抵抗状態(LRS)から高抵抗状態(HRS)に書き換えるとき(リセット動作)には非常 ...

日本ヒューレット・パッカード株式会社（以下、日本HP）と日本マイクロソフト株式会社は2日、株式会社講談社が、データ ...

光で計算するフォトニックコンピューティングは、光で処理したデータを結局は電気のメモリに出し入れしなければならない点が実用化を阻む大きな壁の一つとされています。USC Information Sciences Institute(USC ISI)とウィスコンシン大学マディソン校の研究チーム ...

4層技術で記録密度が2倍に、ニューメキシコに新製造拠点も Memory & Storage Dayでは、Optane Persistent Memory以外にも、Optane Technologyに関するトピックが幾つかあった。 Optane Technologyのベース技術である「3D XPoint」のメモリセルアレイは、交差するビットライン（Bit ...

米Pure Storage（以下、ピュア・ストレージ）は現地時間17日、オールフラッシュアレイの新機種「FlashArray//C」を発表した ...