MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）は、電力効率とスイッチング速度において非常に優れた半導体デバイスです。特に、スイッチングアプリケーションにおいて、MOSFETの特性が非常に重要な役割を果たします。この技術を最大限に活用するためには ...

三菱電機は1月21日、EVのトラクションインバーターやオンボードチャージャー、太陽光発電等の再生可能エネルギー用電源システムなどのパワーエレクトロニクス機器に使用可能なトレンチ型SiC-MOSFETチップ4品種のサンプル提供を開始する。

高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発 東芝デバイス＆ストレージ株式会社と株式会社東芝（以下、東芝グループ）は、SiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を搭載したパワーモジュールにおいて、スイッチング動作時に並列接続間で ...

米Allegro MicroSystems社は、LDOレギュレーターを集積した3相MOSFETドライバー（駆動）IC「A4919」を発売した。3相ブラシレス直流（DC）モーターの駆動に向ける。3相分のハイサイドスイッチとローサイドスイッチすべてを駆動できる。すなわち、全部で6個の ...

伊仏合弁STMicroelectronics（STマイクロ）社は、＋1050V耐圧のnチャネル型パワーMOSFETを内蔵したスイッチング電源（AC-DCコンバーター）IC「VIPer26K」を発売した（ニュースリリース）。ダイオードブリッジ回路で整流した交流（AC）電圧を入力とし、低い直流（DC ...

私がパワーエレクトロニクス研究室に配属されて、最も理解が困難だったのがzero volt switching (ZVS)およびソフトスイッチングでした。ZVS動作で代表的なDABコンバータの関連論文で学位を取得しましたが、今でも完全に半導体のスイッチング動作を理解している ...

データセンターの電力システムに具体的に何が必要なのか、また、コンポーネントベンダーがこれらの課題にどのように対応しているかについて、もう少し詳しく見ていきましょう。 データセンター内の電力密度は急速に高まっており、電源ユニット(PSU)の ...

ビシェイ社、MAACPAK PressFitパッケージ採用の1200 V SiC MOSFETパワーモジュールを発表、効率と信頼性を向上 中〜高周波アプリケーション向け、低背型デバイスがスペースを節約しながら寄生インダクタンスを低減、よりクリーンなスイッチングを実現 ビシェイ ...

高温度下でも極めて低いスイッチング損失、高効率で優れた堅牢性を提供 回路保護分野におけるグローバルリーダー、リテルヒューズ・インク(本社:米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ:LFUS)の日本法人であるLittelfuseジャパン合同会社（本社:東京都港区）は ...

ロームは、4端子パッケージであるTO-247-4Lに封止したSiC（炭化ケイ素）パワーMOSFET「SCT3xxx xRシリーズ」を発売した（ニュースリリース）。ソース端子をパワーソース端子とドライバーソース端子の2つに分けたうえで、ゲート端子とドレイン端子と合わせて4 ...

ローム株式会社(本社：京都市)は、主機インバータをはじめとする車載パワートレインシステムや産業機器向け電源に最適な「1200V 第4世代SiC MOSFET(※1)」を開発しました。 パワー半導体には、オン抵抗を低減すると短絡耐量時間(※2)が短くなるという ...

図2は、電力段PCB設計での部品のリードや最適化されていないレイアウトに起因する寄生インダクタンスと寄生容量を示しています。これらのPCB寄生成分が電圧リンギングを発生させ、結果としてMOSFETに電圧ストレスがかかります。 リンギングの原因の1つは ...