三菱電機は1月21日、EVのトラクションインバーターやオンボードチャージャー、太陽光発電等の再生可能エネルギー用電源システムなどのパワーエレクトロニクス機器に使用可能なトレンチ型SiC-MOSFETチップ4品種のサンプル提供を開始する。

Infineon Technologiesの日本法人インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは、スタティック スイッチング アプリケーション向け高耐圧スーパージャンクション(SJ) MOSFET「CoolMOS S7ファミリ」の600V品として産業用グレードおよび車載用グレードを追加したことを ...

スイッチングデバイスの電力損失は、導通損失とスイッチング損失に分類できます。立ち上がり時と立ち下がり時にスイッチング損失が発生するのは、電流や電圧が瞬時にレベルを変化させることができないためです。 パワーMOSFETの電圧と電流の立ち上がり ...

先ごろ、デバイスメーカーの大手インターシルは、DC-DCコンバーターやスイッチング電源などの消費電力を効率良くする、パワーMOSFET(電界効果型トランジスタ)の新技術“DenseTrenchテクノロジー”を発表し、この技術を応用した製品を夏ごろに投入すると発表 ...

ローム株式会社(本社：京都市)は、高効率が求められるサーバー用電源や太陽光インバータ、電動車の充電ステーションなどに最適なトレンチゲート構造(※1)SiC MOSFET 「SCT3xxx xRシリーズ」6機種(650V／1200V耐圧)を開発しました。 今回新しく開発したシリーズは ...

高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発 東芝デバイス＆ストレージ株式会社と株式会社東芝（以下、東芝グループ）は、SiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を搭載したパワーモジュールにおいて、スイッチング動作時に並列接続間で ...

Nexperia、NextPower 80/100V MOSFET製品のポートフォリオを拡充し、設計の柔軟性をさらに向上 スイッチング・アプリケーション向けに低RDSon、低スパイク、高効率に最適化 Nexperiaは業界標準の5x6mmと8x8mmフットプリントの新しいLFPAK製品を発表し、NextPower 80V/100V MOSFET ...

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、主要な特性の改善により、システム全体における電力損失の大幅な削減に貢献するスーパー･ジャンクション型の新しいパワーMOSFET「STPOWER MDmesh K6シリーズ」を発表しました。同製品は、LEDドライバ、HID ...

4端子パッケージを採用したSiC MOSFET 「SCT3xxx xRシリーズ」を開発 スイッチング損失を従来品比35%低減し、機器の低消費電力化に貢献 ＜要旨＞ ローム株式会社（本社:京都市）は、高効率が求められるサーバー用電源や太陽光インバータ、電動車の充電 ...

オン・セミコンダクタは、500 Vおよび600 Vデバイスを含む高電圧パワーMOSFETポートフォリオを導入し、市場をリードするパワー・スイッチング製品群を拡張しました。これらの新しいソリューションは、力率補正（PFC）やパルス幅変調（PWM）段など、高速 ...

STマイクロエレクトロニクス（NYSE:STM、以下ST）は、Nチャネル パワーMOSFETのMDmesh(TM) M2シリーズを拡張する新製品ファミリ MDmesh M2 EPを発表しました。同製品ファミリは、特にサーバ、ノートPC、通信機器、コンスーマ機器などの電源の軽負荷時において業界 ...

回路保護分野におけるグローバルリーダー、リテルヒューズ・インク の日本法人であるLittelfuseジャパン合同会社は、当社初のSiC MOSFET「LSIC1MO120E0080シリーズ」を、本年10月下旬より発売します。 回路保護分野におけるグローバルリーダー、リテルヒューズ ...