The National Institute for Advanced Industrial Science and Technology (AIST, President: Hiroyuki Yoshikawa) and Tohoku University (President: Takashi Yoshimoto) have succeeded in manufacturing a ...

情報通信研究機構(NICT)は6月19日、タムラ製作所、光波と共同で、新しいワイドギャップ半導体材料である酸化ガリウム(Ga 2 O 3)を用いたMOSトランジスタの開発に成功したと発表した。 詳細は、2013年6月24日から米国ノートルダム大学で開催される半導体電子 ...

半導体デバイスの信頼性技術に関する世界最大の国際会議「国際信頼性物理シンポジウム(IRPS:International Reliability Physics Symposium)」(IRPS 2015)が4月19日に米国カリフォルニア州モントレーで始まった。メインイベントである技術講演の会期は4月21日～23日、会場は ...

－ソフトな中性粒子ビーム技術で30％の性能向上、技術世代32ナノメートルも可能に－ 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】（以下「産総研」という）エレクトロニクス研究部門【部門長 和田 敏美】先端シリコンデバイスグループ 遠藤 ...

デンソーは、世界トップクラスの低オン抵抗を実現した、パワー半導体「SJ MOS（Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor） トランジスタ」を、半導体・電子部品メーカーである新日本無線にライセンス供与すると発表した。 デンソーが開発したSJ MOS トランジスタは ...

東北大学(東北大)は、GeチャネルMOSトランジスタの製造プロセスにおけるゲート絶縁膜形成に、無損傷で低温酸化が実現できる中性粒子ビーム酸化プロセスを用いて、2.0nm以下の極薄高品質Ge酸化膜の直接形成を実現し、電気的にMOSトランジスタ界面が超低 ...

日立製作所は、パワー半導体で従来のシリコンよりも絶縁耐圧が10倍も高いSiC半導体材料によるパワートランジスタの弱点を克服し、TED（Trench-Etched Double-diffused）-MOSと呼ぶ新型SiC MOSFETを開発した。決め手となる新型トランジスタを開発したエンジニアたちは ...

情報通信研究機構（NICT）は、タムラ製作所（東京都）、光波（東京都）と共同で、新しいワイドギャップ半導体材料である酸化ガリウム（Ga2O3）を用いた実用性に優れた「MOSトランジスタ」の開発に世界に先駆けて成功した。 このトランジスタは、イオン ...

“酸化ガリウム（Ga2O3）MOSトランジスタ”を世界で初めて実現！ ～日本発、“革新的次世代半導体パワーデバイス”の実用化に道～ 独立行政法人情報通信研究機構（理事長：坂内 正夫）は、株式会社タムラ製作所（代表取締役社長：田村 直樹）、株式会社 ...

新日本無線株式会社(本社：東京都中央区、社長：小倉 良)は、車載用半導体の取組みを通じて関係を深めている株式会社デンソー(本社：愛知県刈谷市、社長：加藤 宣明)と、同社が開発し世界トップクラス(※1)の低オン抵抗を実現した、パワー半導体 ...

マイコン(マイクロコントローラ)やSoC(System on a Chip)などが内蔵するフラッシュメモリの微細化と高密度化が、限界に達しようとしている。製造技術の世代(技術ノード)で表現すると40nm世代のフラッシュマイコンで、限界が見えはじめた。 CMOSロジックの微細化 ...