独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】（以下「産総研」という）エレクトロニクス研究部門【部門長 伊藤 順司】は、独立した二つのゲートで4端子駆動動作をするデバイス技術を、次世代トランジスタとして期待されるダブルゲートMOSFETで ...

MOSFETトランジスタ市場レポートは、本質的な市場のダイナミクスと成長を誘発する要因を考慮して、成長率と市場価値を調べています。 MOSFETトランジスタ市場レポートの作成中に、著者が考慮に入れた重要な市場要素は、市場規模、シェア、価値、現在の ...

産業技術総合研究所(産総研)は、同所先進パワーエレクトロニクス研究センター SiCパワーデバイスチームの原田信介氏らのグループは、富士電機との共同研究で、炭化ケイ素(SiC)半導体を用いた1200V(ボルト)耐電圧(耐圧)クラスのトランジスタである縦型MOSFET ...

YH Research株式会社（本社：東京都中央区）は調査レポート「グローバルNチャンネルRF MOSFETトランジスタのトップ会社の市場シェアおよびランキング 2024」を6月5日に発行しました。本レポートでは、NチャンネルRF MOSFETトランジスタ市場の製品定義、分類 ...

東芝デバイス＆ストレージは、SiC MOSFETの構造を改良し、特性を向上させたニュースリリース。改良後の構造を採用した3.3kV耐圧のSiC MOSFETは、＋175℃の高温環境下で、同社の改良前構造の同MOSFETに比べて逆方向導通可能電流量が2倍になった。また、構造 ...

1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発 －ハイブリッド車(HEV)/電気自動車(EV)向けの高 ...

産業技術総合研究所（東京都千代田区）は12月5日、富士電機（東京都品川区）との共同研究で、電気自動車などに利用されるパワーモジュールの高効率化・高信頼化に貢献する、SiC（炭化ケイ素）を用いた新型MOSFET（トランジスタ）を開発し、量産レベルの ...

2022年1月1日に、「グローバル金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に関する市場レポート, 2017年-2028年の推移と予測、会社別、地域別、製品別、アプリケーション別の情報」の調査資料を発表しました。金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET ...

本報告書では、世界市場におけるRF MOSFETトランジスターの構造、成長性、技術革新の動向、および主要な参入企業の戦略的ポジションと市場競争の動向を分析することにより、当該分野の核心的な特徴を包括的に明らかにしています。RF MOSFETトランジスター ...

GaNデバイスは、MOSFETと比較して、より高速、より発熱が少なく、より小型のソリューションを提供する、高密度電力回路向けの次世代半導体です。 パワー・エレクトロニクスの世界は、1959年にベル研究所のダーロン・カーング(Dawon Kahng) とマーティン・ア ...

YH Research株式会社（本社：東京都中央区）は調査レポート「グローバル窒化ガリウム系金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(GaN MOSFET)のトップ会社の市場シェアおよびランキング 2023」を10月13日に発行しました。本レポートでは、窒化ガリウム系金属 ...

Nexperia、車載規格準拠の小信号MOSFETを小型のDFN1110D-3/DFN1412-6に封止して提供開始 シングル/デュアルフットプリントの採用に ...