東芝デバイス＆ストレージは、車載トラクションインバーターに向けた1200V耐圧のSiC MOSFET「X5M007E120」を開発し、ベアダイでのテストサンプル出荷を始めた。このSiC MOSFETではトランジスタ構造に新たな2つの工夫を施すことによって、低オン抵抗と高信頼性を両立させた。

産業技術総合研究所（東京都千代田区）は12月5日、富士電機（東京都品川区）との共同研究で、電気自動車などに利用されるパワーモジュールの高効率化・高信頼化に貢献する、SiC（炭化ケイ素）を用いた新型MOSFET（トランジスタ）を開発し、量産レベルの ...

図1.6 はCMOS Staticインバータの回路図である。電源Vddと出力Xの間にPMOS(P型MOSFET)トランジスタ"p1"があり、出力Xとグランド(接地)Vss の間にNMOS(N型MOSFET)トランジスタ"n1"がある。これらのトランジスタは一般には対称的に作られているが、動作上は、Vdd、および ...

1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発 －ハイブリッド車(HEV)/電気自動車(EV)向けの高 ...

産業技術総合研究所(産総研)は、同所先進パワーエレクトロニクス研究センター SiCパワーデバイスチームの原田信介氏らのグループは、富士電機との共同研究で、炭化ケイ素(SiC)半導体を用いた1200V(ボルト)耐電圧(耐圧)クラスのトランジスタである縦型MOSFET ...

MOSFETトランジスタ市場レポートは、本質的な市場のダイナミクスと成長を誘発する要因を考慮して、成長率と市場価値を調べています。 MOSFETトランジスタ市場レポートの作成中に、著者が考慮に入れた重要な市場要素は、市場規模、シェア、価値、現在の ...

2024年6月6日に、QYResearchは「窒化ガリウム系金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(GaN MOSFET)―グローバル市場シェアとランキング、全体の売上と需要予測、2024～2030」の調査資料を発表しました。本レポートは、窒化ガリウム系金属-酸化膜-半導体電界効果 ...

株式会社マーケットリサーチセンター（本社：東京都港区、世界の市場調査資料販売）では、「RFトランジスタの世界市場2020年：メーカー別、地域別、種類・用途別」調査資料の販売を2021年1月21日に開始いたしました。RFトランジスタの市場規模、動向 ...

Nexperia、車載規格準拠の小信号MOSFETを小型のDFN1110D-3/DFN1412-6に封止して提供開始 シングル/デュアルフットプリントの採用に ...