NECとNECエレクトロニクスは、LSI内蔵技術、微細配線形成技術、高精度搭載・位置計測技術を応用して、次世代の高密度集積回路である28nmプロセス世代以降の狭ピッチ・多ピンのパッドを有するシステムLSIに対応するLSI内蔵パッケージ技術「SIRRIUS(Seamless ...

富士通は21日、同日開催された同社取締役会において、2008年3月をめどに同社のLSI事業部門を分社するほか、90nm世代以降の先端プロセス技術の開発、および量産試作を三重工場に一本化することを決定した。 今回のLSI事業の再編は、先端プロセス技術、競争 ...

富士通は、3月をめどに、LSI事業部門を分社することを決定したと発表した。ASIC事業に加えASSP事業へに注力。あわせて、90nm世代以降の先端プロセス技術の開発および量産試作を三重工場に一本化することも決定した。 これにより45nm世代以降のプロセス技術 ...

ソニー（株）と（株）東芝は、0．10μm／0．07μm世代のシステムLSIにおける最先端プロセス技術および設計技術を共同開発することで合意した。プロセス・デバイス技術に求められている低消費電力・高性能という特性別展開の必要性から ...

松下電器産業とルネサステクノロジは8月3日、45nmノード対応のシステムLSI製造プロセス共同開発活動において、液浸ArFスキャナーによるフルインテグレーション作業を始めたと発表した。両社は、歪みシリコンによる高移動度トランジスタや、比誘電率2.4と ...

富士通研究所は2月2日、内部電極に銅を使用した高速LSI用キャパシタのプロセス技術を開発したことを発表した。銅を内部電極に用いることでキャパシタ自身のインピーダンスを低くできるほか、キャパシタをLSIの直下に搭載することで配線による ...

松下電器産業が、次世代メモリとして期待のFeRAM（強誘電体RAM）を0.18μメートルという微細な製造プロセスで混載したシステムLSIの量産化技術を開発した。高速・低消費電力処理が行えるFeRAM混載システムLSIは、“真のユビキタス時代”に欠かせない中核技術 ...

TOKYO, February 1, 2006-- NEC Electronics Corporation, Sony Corporation, and Toshiba Corporation today announced that the companies have agreed to jointly develop system LSI process technologies for ...

松下電器産業が、次世代メモリとして期待のFeRAM（強誘電体RAM）を0.18μメートルという微細な製造プロセスで混載したシステムLSIの量産化技術を開発した。高速・低消費電力処理が行えるFeRAM混載システムLSIは、“真のユビキタス時代”に欠かせない中核技術 ...

松下電器産業は10月20日、65nmプロセスを使ったデジタル家電用システムLSIの量産に成功したと発表した。同月より出荷を開始する。同社によれば、民生用のシステムLSIで65nmプロセスを使ったものは世界初という。 製造は富山県魚津市にある魚津工場の新棟で ...

日本電気(株)は4日、インターネット産業向けのシステムLSI製造に利用する半導体製造プロセスとして、0.13μmのCMOSプロセス“0.13μm Multi-Feature Process UX4”を開発するとともに、同プロセスを利用したシステムLSIを今月から順次製品化すると発表した。 開発した ...

ソニー（株）は、90ナノプロセス1チップMPEGコーデックLSI「CXD4702GB」を開発したと発表した。先日発表されたHDD搭載DVDレコーダー"スゴ録"新製品に搭載する。 本LSIは、高性能CPUや高速メモリを内蔵し、MPEG2の圧縮や伸長、追いかけ再生などを1チップで行う ...