AUSTIN, Texas — LSI Logic Corp. said it is production-ready with flip-chip packages on an 0.11-micron process that includes low-k dielectrics. The soft, porous nature of low-k materials presents a ...

NECとNECエレクトロニクスは、LSI内蔵技術、微細配線形成技術、高精度搭載・位置計測技術を応用して、次世代の高密度集積回路である28nmプロセス世代以降の狭ピッチ・多ピンのパッドを有するシステムLSIに対応するLSI内蔵パッケージ技術「SIRRIUS(Seamless ...

Research teams from the Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) and the Korea Institute of Machinery and Materials (KIMM) have developed a continuous roll-processing technology that ...

NECエレクトロニクス（株）、ソニー（株）、（株）東芝の3社は、45nm世代を含む最先端LSIの微細化プロセス開発技術を共同開発することで合意に至ったことを明らかにした。 最先端システムLSIは、デジタルコンシューマー機器やモバイル・通信機器等の高 ...

富士通は、3月をめどに、LSI事業部門を分社することを決定したと発表した。ASIC事業に加えASSP事業へに注力。あわせて、90nm世代以降の先端プロセス技術の開発および量産試作を三重工場に一本化することも決定した。 これにより45nm世代以降のプロセス技術 ...

富士通研究所は2月2日、内部電極に銅を使用した高速LSI用キャパシタのプロセス技術を開発したことを発表した。銅を内部電極に用いることでキャパシタ自身のインピーダンスを低くできるほか、キャパシタをLSIの直下に搭載することで配線による ...

ソニー（株）と（株）東芝は、0．10μm／0．07μm世代のシステムLSIにおける最先端プロセス技術および設計技術を共同開発することで合意した。プロセス・デバイス技術に求められている低消費電力・高性能という特性別展開の必要性から ...

LONDON ASAT Holdings Ltd., a provider of chip package design, assembly and test services, said Monday (June 6) that it has entered into a multi-year cross-licensing agreement with LSI Logic Corp.

松下電器産業とルネサステクノロジは8月3日、45nmノード対応のシステムLSI製造プロセス共同開発活動において、液浸ArFスキャナーによるフルインテグレーション作業を始めたと発表した。両社は、歪みシリコンによる高移動度トランジスタや、比誘電率2.4と ...

松下電器産業が、次世代メモリとして期待のFeRAM（強誘電体RAM）を0.18μメートルという微細な製造プロセスで混載したシステムLSIの量産化技術を開発した。高速・低消費電力処理が行えるFeRAM混載システムLSIは、“真のユビキタス時代”に欠かせない中核技術 ...

富士通は1月21日、3月をめどにLSI事業を分社化すると発表した。半導体事業は巨額投資が必要で、各社とも事業再編や協業を進めてきている。単独で事業展開してきた同社も、分社化により機動性を高めて「スピーディーで柔軟な事業展開につなげる」として ...

Increases bandwidth by 400 percent over commonly used SerDes interfaces Easy integration into high speed SerDes cores in LSI Logic cell-based ASIC or RapidChip Platform ASIC designs MILPITAS, Calif., ...