グローバルな接続およびパワーソリューションのリーディングプロバイダであるQorvo®（ナスダック：QRVO）は、接続性とパワーソリューションのグローバルリーダーとして、750V、4mのSiC JFET (シリコンカーバイド接合型電界効果トランジスタ）をコンパクトな ...

半導体大手のオンセミ（onsemi）は、Qorvo社からシリコンカーバイド接合型電界効果トランジスタ（SiC JFET）技術事業の買収を完了したと発表した。 この買収には、Qorvo社の子会社であるUnited Silicon Carbideも含まれている。 SiC JFET技術の追加は、オンセミの広範 ...

オンセミ、シリコンカーバイドJFET技術の買収でAIデータセンター向けパワー製品ポートフォリオを強化 Qorvo社のSiC JFET事業と子会社United Silicon Carbideの買収でオンセミの市場機会は5年以内に13億ドル拡大の見込み オンセミ（onsemi、本社 : 米国アリゾナ州 ...

オンセミ（onsemi、本社: 米国アリゾナ州スコッツデール、Nasdaq：ON）は、Qorvo社から子会社のUnited Silicon Carbideを含むSiC JFET（シリコンカーバイド接合型電界効果トランジスタ）技術の事業を、1億1500万米ドルの現金で買収する契約を締結したことを発表しました。

Infineon Technologiesは5月14日、「CoolSiC 1200V SiC JFET」ファミリを発表した。 同製品は、IGBTに比べてスイッチング損失を大幅に削減しており、全体的なシステム効率を犠牲にすることなく、より高いスイッチング周波数を実現している。これにより、受動部品の ...