東芝デバイス＆ストレージは3月10日、産業用インバータや太陽光発電用パワーコンディショナなど向けとして、コレクタ ...

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、SiC（炭化ケイ素）およびIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）パワー･スイッチ向けのゲート･ドライバ･ファミリ「STGAP3S」を発表しました。同製品は、STの堅牢な最新ガルバニック絶縁技術と ...

ビシェイ社、IGBTおよびMOSFETドライバを発表、コンパクトな設計、高速スイッチング、高電圧をストレッチされたSO-6パッケージ 4Aの高ピーク出力電流、＋125℃の高温動作、200nsの低い伝搬遅延を提供 ビシェイ・インターテクノロジー社（米国ペンシルバニア ...

保護機能を内蔵した中大電流IGBT/MOSFET用フォトカプラーの発売について 当社は、産業用インバーターや太陽光発電用パワー ...

回路保護分野におけるグローバルリーダー、リテルヒューズ・インク（本社：米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ：LFUS）の日本法人であるLittelfuseジャパン合同会社（本社：東京都港区）は、ローサイド SiCMOSFET および IGBT ゲートドライバ「IX4352NEシリーズ」を6月 ...

パワー半導体スイッチ素子は⼤きくSiベースのMOSFET/IGBT、ワイドギャップ半導体を用いたGaN HEMT/SiC MOSFETなどに分類すること ...