ゲート長を60nmから30nmまで短縮すると性能が出ない 次にこの状態でゲート長を60nmから30nmまで短縮した場合の特性を調べた ...
一週空いたが、IEDM 2024の第5弾は、24-3の"Gate oxide module development for scaled GAA 2D FETs enabling SS<75mV/d and record Idmax>900μA/μm at Lg<50nm"である。インテルのプレビューでは下のスライドに相当する話だ。
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