2026年1月22日[NASDAQ: MCHP] - - Microchip Technology Incorporated(日本法人: 東京都港区浜松町、代表: 櫟晴彦 以下Microchip社)は本日、高電圧電源管理アプリケーションの厳しい要件に対応する600Vゲートドライバ ポートフォリオ(https://www.microchip.com/en-us/products/power-mana ...

STマイクロエレクトロニクス、ゲート・ドライバとGaNパワー・トランジスタを集積した非対称型トポロジ向けのSiPを発表 STマイクロエレクトロニクス（NYSE:STM、以下ST）は、シリコン・ベースのハーフブリッジ・ゲート・ドライバと、2つのGaN（窒化ガリウム ...

シリコン・ラボ、絶縁型ゲート・ドライバのポートフォリオを強化する新製品「Si823Hx/825xx」を発表 過渡耐性の大幅な向上 ...

ローム株式会社（本社：京都市）は、超高速でGaNデバイスを駆動するゲートドライバIC「BD2311NVX-LB」を開発しました。 新製品は、ナノ秒（ns）オーダーのゲート駆動スピードを実現し、GaNデバイスを高速にスイッチングさせることが可能です。この特性は ...

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、シリコン・ベースのハーフブリッジ･ゲート・ドライバと、2つのGaN（窒化ガリウム）パワー・トラジスタを集積した世界初のシステム・イン・パッケージ（SiP）「MasterGaN®」に、非対称型トポロジ向けの ...

株式会社マーケットリサーチセンター（本社：東京都港区、世界の市場調査資料販売）では、「三相ゲートドライバの世界市場2025年」調査資料を発表しました。資料には、三相ゲートドライバのグローバル市場規模、動向、予測、関連企業の情報などが ...

ルネサス エレクトロニクスは1月25日、xEV（電動車）向けにゲートドライバICの新製品「RAJ2930004AGM」を開発したと発表した。同社が開発したゲートドライバICは、バッテリEVをはじめとするxEVのインバータに搭載するIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ ...

STMicroelectronicsは、さまざまな電力定格のインバータを柔軟に制御でき、ISO 26262 ASIL Dへの認定を可能にする、設定可能な保護機能と豊富な診断機能を備えたSiC MOSFETおよびIGBT向けの車載用ガルバニック絶縁型ゲートドライバ「STGAP4S」を発表した。 同製品は、A ...

「ゲートドライバ」に関する情報が集まったページです。 MOSFET、IGBTならびにSiC（炭化ケイ素）トランジスタは高電力／高電圧アプリケーションでよく使用されるが、これらのゲートははるかに低い電圧で駆動されている。ゲート入力電圧の範囲が異なる ...

米国リテルヒューズの日本法人リテルヒューズジャパンは、高電圧アプリケーション向けのシングルチャネル・ガルバニック絶縁型ゲートドライバ「IX3407Bシリーズ」を発売すると発表した。 新製品は2.5kVrms容量性絶縁技術を統合することで、堅牢な信号品質 ...