～パワー半導体分野におけるEV・データセンター向け電源システムの小型化・低コスト化、低消費電力化を実現～ ２０２６－２－１７ 株式会社　東芝 SiCデバイスのノイズ低減・損失低減を実現する次世代ゲートドライバー技術を開発 ～パワー半導体分野におけるEV・データセンター向け電源システムの小型化・低コスト化、低消費電力化を実現～ 概要 　当社は、当社グループが強みを有するパワー半導体分野において、次世 ...

STマイクロエレクトロニクス、48Vマイルド･ハイブリッド･システムの効率化に貢献する柔軟性の高い車載用8チャネル･ゲート･ドライバを発表 *2025年10月8日にジュネーブ（スイス）で発表されたプレスリリースの抄訳です。 STマイクロエレクトロニクス ...

2022年02月24日にREPORTOCEANが発行した新しいレポートによると、-フィールドプログラマブルゲートアレイ市場は、2022年から2030年までの予測期間において、年平均成長率（CAGR）8.5％で推移しています。 2021年のフィールドプログラマブルゲートアレイの世界市場 ...

ローム株式会社（本社：京都市）は、超高速でGaNデバイスを駆動するゲートドライバIC「BD2311NVX-LB」を開発しました。 新製品は、ナノ秒（ns）オーダーのゲート駆動スピードを実現し、GaNデバイスを高速にスイッチングさせることが可能です。この特性は ...

STマイクロエレクトロニクス、低電圧システムでの電源設計を簡略化するGaNハーフブリッジ･ゲート･ドライバを発表 産業用機器やコンピュータ周辺機器向けの電力変換アプリケーションに最適 *2025年10月9日にジュネーブ（スイス）で発表されたプレス ...

米国リテルヒューズの日本法人リテルヒューズジャパンは、高電圧アプリケーション向けのシングルチャネル・ガルバニック絶縁型ゲートドライバ「IX3407Bシリーズ」を発売すると発表した。 新製品は2.5kVrms容量性絶縁技術を統合することで、堅牢な信号品質 ...

持続可能な社会と安全な暮らしを支える工業技術を提供するグローバル企業リテルヒューズ・インク（本社：米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ：LFUS）の日本法人Littelfuseジャパン合同会社（本社：東京都港区）は、車載用規格ローサイドゲートドライバ ...

持続可能で接続性の高い、より安全な世界の実現のための工業技術を生み出すリテルヒューズ・インク（本社：米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ：LFUS）の日本法人である Littelfuse ジャパン合同会社（本社：東京都港区）は、自動車向け炭化ケイ素（SiC）MOSFET ...

ルネサス エレクトロニクスは1月25日、xEV（電動車）向けにゲートドライバICの新製品「RAJ2930004AGM」を開発したと発表した。同社が開発したゲートドライバICは、バッテリEVをはじめとするxEVのインバータに搭載するIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ ...

「ゲートドライバ」に関する情報が集まったページです。 MOSFET、IGBTならびにSiC（炭化ケイ素）トランジスタは高電力／高電圧アプリケーションでよく使用されるが、これらのゲートははるかに低い電圧で駆動されている。ゲート入力電圧の範囲が異なる ...

これらの600Vゲートドライバは、600mA～4.5Aの駆動電流に対応し、高速スイッチングと高効率動作を実現すると同社では説明しているほか、3.3Vロジックに対応しているため、マイコンとシームレスに統合することができるともする。