ここからが今回の発表の内容である。従来のMoS2にHfO2を積層するプロセスでは、Dangling Bond(原子における未結合手)が存在せず、このためHigh-Kでの膜形成が難しかったため、Low-Kでの膜形成層が必要になっていた。 ところがインテルは今回、HfO2 ALDプロセスを ...

一週空いたが、IEDM 2024の第5弾は、24-3の"Gate oxide module development for scaled GAA 2D FETs enabling SS<75mV/d and record Idmax>900μA/μm at Lg<50nm"である。インテルのプレビューでは下のスライドに相当する話だ。