A technical paper titled “Analysis of Logic-in-Memory Full Adder Circuit With Floating Gate Field Effect Transistor (FGFET)” was published by researchers at Konkuk University, Korea National ...

会場：米国ワシントンD.C. Hilton Washington and Towers NANDフラッシュメモリのメモリセルには、「フローティングゲート型」と呼ぶ構造のセルが使われている。フローティングゲートまたは浮遊ゲートと呼ぶ電気的に浮いた(どこにも電気的に接続していない)ゲート ...

IEDM 2007会場にて、Toshiba America Electronic Componentsのエンジニアリングディレクターで、IEDM 2007のPublicity Vice-Chairの石丸一成氏にお話を伺う機会を得た。東芝の半導体技術を中心に、現状と今後についてお話を伺った。 フラッシュメモリ技術の今後 東芝といえば ...

主たる研究参加者 宮崎誠一 広島大学工学部 助教授 新宮原 正三 広島大学工学部 助教授 横山 新 広島大学工学部 教授 高萩 隆行 広島大学工学部 教授 伊澤 義雄 広島大学工学部 教授 芝原 健太郎 広島大学工学部 教授 岩田 穆 広島大学工学部 教授 3． ...

What do you get if you cross graphene, hexagonal boron nitride, and tungsten diselenide? Well, according to researchers at Hunan University, you get a field effect transistor that can act as both a ...

Many applications need to archive data or retain system information after power-down. These tasks fall to nonvolatile memory that must be in-circuit writable at least once, and often many times.

The Nature Index 2025 Research Leaders — previously known as Annual Tables — reveal the leading institutions and countries/territories in the natural and health sciences, according to their output in ...