3D XPoint(スリーディークロスポイント)メモリの正体がついに明らかになった。記憶素子技術は「相変化メモリ」、セル選択スイッチ(セレクタ)技術は「オボニックスイッチ」である。といっても、3D XPointメモリを共同開発したIntelとMicron Technologyの公式発表で ...

NAND型フラッシュメモリは、不揮発性の記憶装置である「フラッシュメモリ」の一種です。フラッシュメモリは、電源を切っても記憶を保持することが可能、小型軽量、振動や衝撃に強い、動作音もなく、消費電力が低い、といった利点がある記憶装置です。

各種デバイスや外付けのストレージなど、さまざまな用途に使われているフラッシュメモリは「NAND型フラッシュメモリ」と「NOR型フラッシュメモリ」の2種に分類できる。この2種は何が違い、それぞれ何が期待できるのかをごく簡単に解説する。 フラッシュ ...

Micron Technologyが次世代(第4世代)の3D NANDフラッシュの開発では、現行世代(第3世代)まで採用していた浮遊ゲート(フローティングゲート)方式のメモリセルではなく、電荷捕獲(チャージトラップ)方式のメモリセルを採用することを明らかにした。2018年8月7日に ...

高速アクセスだからこそ気になる耐久性。対策は？ NAND型フラッシュメモリはデータを書き込む際に、まず既存のデータを ...

世界初、QLC技術を用いた3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH(TM)」の開発について 当社は、世界で初めて（注1）4ビット/セル ...